Memorias de investigación
Conferencias:
Selective Growth by MBE of InGaN/GaN Nanostructures on Polar and Semipolar Substrates
Año:2014
Áreas de investigación
  • Dispositivos electrónicos,
  • Dispositivos fotónicos emisores de luz
Datos
Descripción
Selective Growth by MBE of InGaN/GaN Nanostructures on Polar and Semipolar Substrates
Internacional
Si
ISSN o ISBN
0000000000000
Entidad relacionada
18th. Int. Conference on MBE,
Nacionalidad Entidad
E.E.U.U. DE AMERICA
Lugar del congreso
Flagstaff, Arizona, USA,2014
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica