Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
Physical model for GaN HEMT design optimization in high frequency switching applications
Year:2014
Research Areas
  • Electric engineers, electronic and automatic (eil)
Information
Abstract
International
Si
Congress
European Solid State Device Research Conference (ESSDERC)
960
Place
Venice (Italy)
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
978-1-4799-4376-0
Start Date
22/09/2014
End Date
26/09/2014
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393
To page
396
European Solid State Device Research Conference (ESSDERC)
Participants
  • Autor: Dejana Cucak (UPM)
  • Autor: Miroslav Vasic (UPM)
  • Autor: Oscar Garcia Suarez (UPM)
  • Autor: Yann Bouvier . (UPM)
  • Autor: Jesus Angel Oliver Ramirez (UPM)
  • Autor: Pedro Alou Cervera (UPM)
  • Autor: Jose Antonio Cobos Marquez (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Electrónica Industrial
  • Centro o Instituto I+D+i: Centro de Electrónica Industrial. CEI
  • Departamento: Automática, Ingeniería Eléctrica y Electrónica e Informática Industrial
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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