Ponencias en congresos:
Physical model for GaN HEMT design optimization in high frequency switching applications
Año:2014
Áreas de investigación
- Ingeniería eléctrica, electrónica y automática
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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European Solid State Device Research Conference (ESSDERC) |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Venice (Italy) |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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978-1-4799-4376-0 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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22/09/2014 |
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Fecha fin congreso
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26/09/2014 |
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Desde la página
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393 |
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Hasta la página
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396 |
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Título de las actas
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European Solid State Device Research Conference (ESSDERC) |
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: Dejana Cucak . UPM
- Autor: Miroslav Vasic Matic UPM
- Autor: Oscar Garcia Suarez UPM
- Autor: Yann Bouvier . UPM
- Autor: Jesus Angel Oliver Ramirez UPM
- Autor: Pedro Alou Cervera UPM
- Autor: Jose Antonio Cobos Marquez UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Electrónica Industrial
- Centro o Instituto I+D+i: Centro de Electrónica Industrial. CEI
- Departamento: Automática, Ingeniería Eléctrica y Electrónica e Informática Industrial