Artículos en revistas:
Trapping phenomena in AlGaN and InAlN barrier HEMTs with different geometries
Año:2015
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY |
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ISSN
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0268-1242 |
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Factor de impacto JCR
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2,206 |
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Información de impacto
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Volumen
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30 |
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DOI
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10.1088/0268-1242/30/3/035015 |
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Número de revista
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3 |
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Ver publicación en Archivo digital upm
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: s. martin-horcajo UPM
- Autor: a. bosca UPM
- Autor: m. f. romero UPM
- Autor: m. j. tadjer UPM
- Autor: f. calle UPM
- Autor: a. d. koehler
- Autor: t. j. anderson
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: No seleccionado
- Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Departamento: Ingeniería Electrónica
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología