Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Electroreflectance characterization of AlInGaN/GaN high-electron mobility heterostructures
Year:2015
Research Areas
Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
ISBN
0268-1242
Impact factor JCR
2,206
Impact info
Volume
30
10.1088/0268-1242/30/8/085014
Journal number
8
From page
0
To page
6
Month
Ranking
0
Participants
  • Autor: t. brazzini (UPM)
  • Autor: p. yu bokov
  • Autor: m. f. romero (UPM)
  • Autor: f. calle (UPM)
  • Autor: m. feneberg
  • Autor: r. goldhahn
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2020 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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