Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Alternatives for rear-surface passivation in III-V on Si multi-junction solar cells
Año:2015
Áreas de investigación
  • Dispositivos electrónicos,
  • Células solares
Datos
Descripción
In the recent developments in the field of III-V on Si dual-junction solar cells, low attention has been paid to optimizing the device configuration to maximize its photovoltaic performance. The few practical implementations reported heretofore have been based on III-V solar cell processing techniques. Although the fabrication of conventional Si structures is a well-known technology, certain steps have been found to be incompatible with III-V semiconductors, primarily due to their high thermal load. Accordingly, in this work we discuss the applicability of different alternatives for the Si rear-surface passivation (Al-BSF, PERC- and HIT-like schemes) in III-V/Si dual-junction solar cell structures. Using numerical simulations, a comparison of the Si bottom cell performance in a GaAsP/Si dual-junction solar cell structure is presented for the mentioned alternatives.
Internacional
Si
Nombre congreso
42nd IEEE Photovoltaic Specialist Conference,
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
New Orleans; EEUU
Revisores
Si
ISBN o ISSN
978-1-4799-7944-8
DOI
10.1109/pvsc.2015.7356235
Fecha inicio congreso
14/06/2015
Fecha fin congreso
19/06/2015
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Título de las actas
Proc. PVSC 2015
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Diego Martín Martín (UPM)
  • Autor: Elisa Garcia-Tabares Valdivieso (UPM)
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física
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