Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Deep levels in homoepitaxial ZnO and the effect of N doping
Año:2015

Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones,
  • Ingeniería eléctrica, electrónica y automática

Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM
Internacional
Si
Nombre congreso
18th European-Molecular Beam Epitaxy Workshop
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Canazei (Italy), 2015.
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
15/03/2015
Fecha fin congreso
18/03/2015
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Título de las actas
Proceedings

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica