Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
Deep levels in homoepitaxial ZnO and the effect of N doping
Year:2015
Research Areas
  • Electronic technology and of the communications,
  • Electric engineers, electronic and automatic (eil)
Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM
International
Si
Congress
18th European-Molecular Beam Epitaxy Workshop
960
Place
Canazei (Italy), 2015.
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
15/03/2015
End Date
18/03/2015
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0
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3
Proceedings
Participants
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
  • Autor: Alejandro Kurtz De Griño (UPM)
  • Autor: L. Gura
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Autor: JM Chauveau
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2021 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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