Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Analysis of Sb and In distribution in GaAsSb-capped InAs quantum dots by advance transmission electron microscopy
Año:2015
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones,
  • Ingeniería eléctrica, electrónica y automática
Datos
Descripción
Relacionado con Línea de Investigación del GDS del ISOM
Internacional
Si
Nombre congreso
Microscopy of Semiconducting Materials
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Cambridge (UK)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
29/03/2015
Fecha fin congreso
02/04/2015
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Título de las actas
Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ciencia de Materiales