Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Optimizing diffusion, morphology and minority carrier lifetime in silicon for GaAsP/Si dual-junction solar cells
Año:2015
Áreas de investigación
  • Células solares,
  • Tecnología de dispositivos para ingeniería eléctrica y electrónica
Datos
Descripción
Dual-junction solar cells formed by a GaAsP cell on a silicon bottom cell seem to be attractive candidates to materialize the long sought-for integration of III-V materials on Si for photovoltaic applications. In this study, we analyze several factors for the optimization of the bottom cell, namely, 1) the emitter formation as a result of phosphorus diffusion; 2) the growth of a high quality GaP nucleation layer; and 3) the process impact on the bottom subcell PV properties.
Internacional
Si
Nombre congreso
10th Spanish Conference on Electron Devices (CDE-2015)
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Aranjuez, Madrid
Revisores
Si
ISBN o ISSN
978-1-4799-8108-3
DOI
10.1109/CDE.2015.7087512
Fecha inicio congreso
11/02/2015
Fecha fin congreso
13/02/2015
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Título de las actas
Proc. IEEE CDE-2015
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Elisa Garcia-Tabares Valdivieso (UPM)
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
  • Autor: Diego Martín Martín (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física
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