Artículos en revistas:
Electronic and atomic structure of complex defects in Al- and Ga-highly doped ZnO films
Año:2015
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS |
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ISSN
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0254-0584 |
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Factor de impacto JCR
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2,129 |
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Información de impacto
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Volumen
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160 |
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DOI
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10.1016/j.matchemphys.2015.05.012 |
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Número de revista
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Desde la página
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420 |
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Hasta la página
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428 |
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Mes
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Ranking
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Ver publicación en Archivo digital upm
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: eduardo menendez-proupin
- Autor: pablo palacios UPM
- Autor: perla wahnon UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: No seleccionado
- Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
- Departamento: Tecnología Fotónica y Bioingeniería
- Departamento: Física Aplicada a Las Ingenierías Aeronáutica y Naval
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar