Descripción
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Relacionado con línea de investigación del GDS DEL ISOM | |
Internacional
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Si |
Nombre congreso
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Z. GAO, M.F. ROMERO, P. GODIGNON, J. MILLAN, F. CALLE ?Effects of HfO2 dielectric layer in AlInN/GaN heterostructures? Int Conference Nitride Semiconductors, ICNS Beijing, (China), 2015. |
Tipo de participación
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960 |
Lugar del congreso
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Beijing, (China), 2015. |
Revisores
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Si |
ISBN o ISSN
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0000000000000 |
DOI
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Fecha inicio congreso
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30/08/2015 |
Fecha fin congreso
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04/09/2015 |
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Título de las actas
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Proceedings |