Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Reliability assessment of AlGaN/GaN HEMTs with different in situ cap layers under gate and drain bias stress
Año:2015
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con línea de investigación del GDS DEL ISOM
Internacional
Si
Nombre congreso
39th Int Workshop on Compound Semiconductors and Integrated Circuits, Wocsdice 2015. Smolenice (Slovakia), 2015
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Smolenice (Slovakia), 2015
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
08/06/2015
Fecha fin congreso
10/06/2015
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Título de las actas
Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología