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Descripción
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| Durante la realización de la estancia, se ha participado activamente en el diseño y crecimiento mediante epitaxia de haces moleculares (MBE) de heterostructuras de ZnO/ZnMgO para la realización de dispositivos optoelectrónicos. Asimismo, se ha aprendido a realizar, y se ha realizado, la caracterización estructural de los mismos mediante las técnicas de microscopía de fuerza atómica (AFM por sus siglas en inglés) y difracción de rayos X, a fin de validar las correctas condiciones del crecimiento, tanto en calidad como en grosor y composición de las capas. Además, se ha participado en el procesado de estructuras de diodos de efecto túnel en ZnO/ZnMgO con distintos grosores y concentraciones, y su caracterización mediante técnicas eléctricas, a fin de validar este mecanismo de transporte mediante efecto túnel en este material, que hasta la fecha no consta que se haya realizado por ningún otro grupo. Por último, se presentó el seminario titulado ?Deep Level Spectroscopy and its applications to Zn(Mg)O? dentro del ciclo de seminarios del CRHEA, a fin de dar difusión y conocimiento a las técnicas empleadas durante la realización de la tesis doctoral y el trabajo en el ISOM. | |
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Internacional
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Si |
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Lugar
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CRHEA, Francia |
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Tipo
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Fecha inicio
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05/10/2015 |
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Fecha fin
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15/12/2015 |