Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Wide-Bandgap InAs/InGaP quantum-dot intermediate band solar cells
Año:2015
Áreas de investigación
  • Células solares
Datos
Descripción
Current prototypes of quantum-dot intermediate band solar cells suffer from voltage reduction due to the existence of carrier thermal escape. An enlarged sub-bandgap EL would not only minimize this problem, but would also lead to a bandgap distribution that exploits more efficiently the solar spectrum. In this work we demonstrate InAs/InGaP QD-IBSC prototypes with the following bandgap distribution: EG = 1.88 eV, EH = 1.26 eV and EL > 0.4 eV. We have measured, for the first time in this material, both the interband and intraband transitions by means of photocurrent experiments. The activation energy of the carrier thermal escape in our devices has also been measured. It is found that its value, compared to InAs/GaAs-based prototypes, does not follow the increase in EL. The benefits of using thin AlGaAs barriers before and after the quantum-dot layers are analyzed.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Ieee Journal of Photovoltaics
ISSN
2156-3381
Factor de impacto JCR
3
Información de impacto
Volumen
5
DOI
10.1109/jphotov.2015.2402439
Número de revista
3
Desde la página
840
Hasta la página
845
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Iñigo Ramiro Gonzalez (UPM)
  • Autor: Juan Villa Morales (UPM)
  • Autor: P. Lam
  • Autor: S. Hatch
  • Autor: J. Wu
  • Autor: Esther Lopez Estrada (UPM)
  • Autor: Elisa Antolin Fernandez (UPM)
  • Autor: H. Liu
  • Autor: Antonio Marti Vega (UPM)
  • Autor: Antonio Luque Lopez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física
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