Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Formation Mechanisms of GaN nanowires grown by slective area growth homoepitaxy
Año:2015
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM
Internacional
Si
Nombre congreso
18th European Molecular Beam Epitaxy Workshop, Canazei, Italy
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Canazei, Italy
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
15/03/2015
Fecha fin congreso
18/03/2015
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Título de las actas
Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Zarko Gacevic (UPM)
  • Autor: D. Gómez Sánchez
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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