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Descripción
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| En este artículo, se presenta el diseño de un amplificador de potencia y banda ancha, de 2 a 6 GHz, realizado en tecnología coplanar. Se utilizan transistores de alta movilidad de electrones (HEMTs) de Nitruro de Galio (GaN), crecidos en un sustrato de Carburo de Silicio (SiC). Estos dispositivos tienen una puerta de 0.5 micrometros de longitud y 2.4 mm de ancho. El amplificador consta de dos etapas, la primera de dos y la segunda de cuatro transistores en paralelo. Para combinar y dividir la potencia de los transistores se usan estructuras corporativas. En la banda de diseño se consigue una ganancia en pequeña señal de 15 dB, una potencia de 12.5 W y una PAE del 20 por ciento. | |
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Internacional
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No |
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Nombre congreso
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XXII Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Universidad de La Laguna. Tenerife. España |
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Revisores
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No |
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ISBN o ISSN
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978-84-690-7500-5 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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19/09/2007 |
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Fecha fin congreso
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21/09/2007 |
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Título de las actas
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