Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Thermal stability study of AlGaN/GaN MOS-HEMTs using Gd2O3 as gate dielectric
Year:2015
Research Areas
Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
PROCEEDINGS OF THE 2015 10TH SPANISH CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES (CDE)
ISBN
2163-4971
Impact factor JCR
0
Impact info
Volume
Journal number
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78
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Month
Ranking
0
Participants
  • Autor: z. gao (UPM)
  • Autor: m. f. romero (UPM)
  • Autor: f. calle (UPM)
  • Autor: m. a. pampillon
  • Autor: e. san andres
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: No seleccionado
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
S2i 2020 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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