Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Comparative study of single InGaN layers grown on Si(111) and GaN(0001) templates: The role of surface wetting and epitaxial constraint
Year:2016
Research Areas
Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
ISBN
0022-0248
Impact factor JCR
1,698
Impact info
Volume
447
10.1016/j.jcrysgro.2016.04.007
Journal number
From page
48
To page
54
Month
Ranking
0
Participants
  • Autor: v. j. gomez (UPM)
  • Autor: z. gacevic (UPM)
  • Autor: p. e. d. soto-rodriguez
  • Autor: p. aseev (UPM)
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
  • Autor: r. notzel
  • Autor: m. a. sanchez-garcia (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)