Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Comparative study of single InGaN layers grown on Si(111) and GaN(0001) templates: The role of surface wetting and epitaxial constraint
Año:2016

Áreas de investigación

Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
ISSN
0022-0248
Factor de impacto JCR
1,698
Información de impacto
Volumen
447
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2016.04.007
Número de revista
Desde la página
48
Hasta la página
54
Mes
Ranking
0
Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica