Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Improving optical performance of GaN nanowires grown by selective area growth homoepitaxy: Influence of substrate and nanowire dimensions
Año:2016
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,302
Información de impacto
Volumen
108
DOI
10.1063/1.4954742
Número de revista
25
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5
Mes
Ranking
0
Participantes
  • Autor: p. aseev (UPM)
  • Autor: z. gacevic (UPM)
  • Autor: e. calleja (UPM)
  • Autor: a. torres-pardo
  • Autor: j. m. gonzalez-calbet
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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