Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Scanning tunneling microscopy contrast of isovalent impurities on the GaAs (110) surface explained with a geometrical model
Año:2016

Áreas de investigación

Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
PHYSICAL REVIEW B
ISSN
2469-9950
Factor de impacto JCR
3,736
Información de impacto
Volumen
93
DOI
10.1103/PhysRevB.93.035313
Número de revista
3
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10
Mes
Ranking
0
Participantes
  • Autor: j. m. ulloa UPM
  • Autor: f. j. tilley
  • Autor: mervyn roy
  • Autor: p. a. maksym
  • Autor: p. m. koenraad
  • Autor: c. m. krammel

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ciencia de Materiales