Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Scanning tunneling microscopy contrast of isovalent impurities on the GaAs (110) surface explained with a geometrical model
Year:2016
Research Areas
Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
PHYSICAL REVIEW B
ISBN
2469-9950
Impact factor JCR
3,736
Impact info
Volume
93
10.1103/PhysRevB.93.035313
Journal number
3
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0
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10
Month
Ranking
0
Participants
  • Autor: j. m. ulloa (UPM)
  • Autor: f. j. tilley
  • Autor: mervyn roy
  • Autor: p. a. maksym
  • Autor: p. m. koenraad
  • Autor: c. m. krammel
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ciencia de Materiales
S2i 2020 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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