Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Electrical mechanisms for carrier compensation in homoepitaxial nonpolar m-ZnO doped with nitrogen
Year:2016
Research Areas
Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
ISBN
0268-1242
Impact factor JCR
2,19
Impact info
Volume
31
10.1088/0268-1242/31/3/035010
Journal number
3
From page
0
To page
8
Month
Ranking
0
Participants
  • Autor: a. kurtz (UPM)
  • Autor: a. hierro (UPM)
  • Autor: m. lopez-ponce (UPM)
  • Autor: g. tabares (UPM)
  • Autor: j. m. chauveau
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2021 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
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