Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Electronic band alignment at CuGaS2 chalcopyrite interfaces
Año:2016
Áreas de investigación
  • Tecnologías de integración para ingeniería eléctrica y electrónica
Datos
Descripción
Cu-chalcopyrite semiconductors are commonly used as light absorbing materials on solar cell devices. The study of the heterointerfaces between the absorbent and the contact materials is crucial to understand their operation. In this study, band alignments of the heterojunctions between CuGaS2 chalcopyrite and different semiconductors have been theoretically obtained using density functional theory and more advanced techniques. Band alignments have been determined using the average electrostatic potential as reference level. We have found that the strain in the heterointerfaces plays an important role in the electronic properties of the semiconductors employed here. In this work CuAlSe2/CuGaS2 and CuGaS2/ZnSe heterointerfaces show band alignments where holes and electrons are selectively transferred through the respective heterojunctions to the external contacts. This condition is necessary for their application on photovoltaic devices.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Computational Materials Science
ISSN
0927-0256
Factor de impacto JCR
1,879
Información de impacto
Volumen
121
DOI
10.1016/j.commatsci.2016.04.032
Número de revista
Desde la página
79
Hasta la página
85
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Departamento: Física Aplicada a Las Ingenierías Aeronáutica y Naval
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Tecnología Fotónica y Bioingeniería