Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
Comparative Study of InGaN Layers Grown by PA-MBE on Si(111) Using Different Buffer Layers and Growth Conditions
Year:2016
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications
Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS DEL ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
Congress
MRS- International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN)
960
Place
Orlando, USA
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
00000000
Start Date
02/10/2016
End Date
09/10/2016
From page
0
To page
3
Proceedings
Participants
  • Autor: Victor Jesus Gomez Hernandez (UPM)
  • Autor: Javier Grandal Quintana (UPM)
  • Autor: A. Nunez-Cascajero
  • Autor: F.B. Naranjo
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)