Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Comparative Study of InGaN Layers Grown by PA-MBE on Si(111) Using Different Buffer Layers and Growth Conditions
Año:2016
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS DEL ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
Nombre congreso
MRS- International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN)
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Orlando, USA
Revisores
Si
ISBN o ISSN
00000000
DOI
Fecha inicio congreso
02/10/2016
Fecha fin congreso
09/10/2016
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Título de las actas
Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica