Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Effects of Gd2O3 Gate Dielectric on Proton-Irradiated AlGaN/GaN HEMTs
Year:2017
Research Areas
Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
ISBN
0741-3106
Impact factor JCR
2,528
Impact info
Volume
38
10.1109/LED.2017.2682795
Journal number
5
From page
611
To page
614
Month
Ranking
0
Participants
  • Autor: z. gao (UPM)
  • Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
  • Autor: a. redondo-cubero
  • Autor: m. a. pampillon
  • Autor: e. san andres
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
S2i 2020 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)