Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Effects of high-k gate dielectrics on the electrical behavior of AlInN/GaN based diodes and HEMTs
Year:2016
Research Areas
  • Microelectronics,
  • Transistors of field efect of mos (mosfet) type,
  • Semiconductors ii-vi, iii-v and iv-iv,
  • Mosfet type devices
Information
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International
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JCR
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Impact factor JCR
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Participants
  • Autor: Zhan Gao (UPM)
  • Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
  • Autor: Philipe Godignon
  • Autor: Maria Angel Pampillón (UCM)
  • Autor: Enruqie San Andres
  • Autor: jose Millan (UAB)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2020 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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