Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Effects of HfO2 Gate dielectric and KOH-based pre-treatments on AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High Electron Mobility Transistors
Año:2017
Áreas de investigación
  • Microelectrónica,
  • Diseño microelectrónico,
  • Transistores de efecto de campo tipo mos (mosfet),
  • Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv,
  • Dispositivos tipo mosfet
Datos
Descripción
Internacional
Si
JCR del ISI
No
Título de la revista
11th Spanish Conference on Electron Devices (CDE-2017)
ISSN
Factor de impacto JCR
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Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica