Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Book chapters:
Selective Area Growth of InGaN/GaN Nanocolumnar Heterostructures by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy
Year:2017
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications
Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS ISOM
International
Si
10.1016/bs.semsem.2016.08.003
Book Edition
Book Publishing
Semiconductors and Semimetals, 96, 7, 231-266 ed. by Z. Mi and C. Jagadish (2017). CL
ISBN
978-0-12-809584-3
Series
Book title
Semiconductors and Semimetals Volume 96, Pages 2-474 (2017) III-Nitride Semiconductor Optoelectronics. Chapter Seven - Selective Area Growth of InGaN/GaN Nanocolumnar Heterostructures by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
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Participants
  • Autor: Steven Albert . (UPM)
  • Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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