Memorias de investigación
Capítulo de libro:
Ga(In)N nanowires grown by Molecular Beam Epitaxy: from quantum light sources to nano-transistors
Año:2017

Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones

Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigacion del GDS ISOM
Internacional
Si
DOI
Edición del Libro
Editorial del Libro
Eds. F. Ishikawa and I. A. Buyanova (2017)
ISBN
978-981-4745-76-5
Serie
Título del Libro
Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, and Applications, Pan Stanford Publishing
Desde página
311
Hasta página
356

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología