Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Preparation and analysis of In2S3:V solar cells
Año:2017

Áreas de investigación
  • Células solares

Datos
Descripción
Maximum efficiency of a standard single junction solar cell is given by the Shockley Queisser limit of around 33% (40.7% under concentrated light) By introducing an intermediate band (IB) this limit can be overcome because this additional band allows the absoption of photons with energies lower than the bandgap. The maximum limit for an intermediate band solar cell under concentrated light is 63.1%for a bandgap of 2.0eV. According to theoretical calculations In2S3 doped with vanadium is a promising candidate for such an intermediate band device due to its bandgap of around 2.1eV. Its intermediate band is half-filled and placed around 1.65eV above the valence band and 0.45eV below the conduction band.
Internacional
Si
Nombre congreso
DPG Spring meeting
Tipo de participación
970
Lugar del congreso
Dresden (Alemania)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
2267-1242
DOI
Fecha inicio congreso
19/03/2017
Fecha fin congreso
24/03/2017
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Título de las actas
Actas

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Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Departamento: Electrónica Física, Ingeniería Eléctrica y Física Aplicada
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar