Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Effects of 2D-Graphene on SiN passivated AlGaN/GaN based-MISHEMTs
Año:2017
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS ISOM
Internacional
Si
Nombre congreso
ICNS 12 - 12th International Conference on Nitride Semiconductors
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Estrasburgo (France), 2017
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
24/07/2018
Fecha fin congreso
28/07/2017
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Título de las actas
Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Departamento: Ciencia de Materiales