Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Thesis:
Improvement of performance and reliability of GaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) using high-k dielectrics
Year:2017
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications
Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS ISOM
International
No
Type
Doctoral
Mark Rating
Sobresaliente
Date
11/09/2017
Participants
  • Autor: Veronica Gao Zhan (UPM)
  • Director: Fernando Calle Gomez (UPM)
  • Director: Fatima Romero Rojo (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
S2i 2020 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)