Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Component Integration Effects in 4-junction Solar Cells with Dilute Nitride 1eV Subcell
Año:2017
Áreas de investigación
  • Ingenierías
Datos
Descripción
A GaInP/Ga(In)As/GaNAsSb/Ge 4-junction solar cell grown using combined MOVPE+MBE growth is used to analyze the effects during the integration of the subcell components into the full 4J structure. In this preliminary study, the Ge subcell is observed to suffer about 15% Jsc drop and ~50 mV Voc loss at 1-sun, while the Voc of the GaNAsSb subcell drops by as much as ~ 140 mV. The degradation of the Ge and GaNAsSb subcells in the current-matched 4J structure can hinder its efficiency potential to a higher extent than in the GaInP/Ga(In)As/Ge 3J. Besides, high quality GaNAsSb and Ge subcells would still limit the current and require redesigning the top subcells to achieve optimum efficiencies
Internacional
Si
Nombre congreso
IEEE 44th Photovoltaic Specialists Conference
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Washington DC
Revisores
Si
ISBN o ISSN
978-1-5090-2724-8
DOI
Fecha inicio congreso
25/06/2017
Fecha fin congreso
30/06/2017
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Título de las actas
Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Ivan Garcia Vara (UPM)
  • Autor: Mario Ochoa Gómez (UPM)
  • Autor: Ivan Lombardero Hernandez (UPM)
  • Autor: Luis Cifuentes Baro (UPM)
  • Autor: Pablo Caño Fernández (UPM)
  • Autor: Manuel Hinojosa Arner (UPM)
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
  • Autor: Carlos Algora Del Valle (UPM)
  • Autor: A.D. Johnson
  • Autor: J.I. Davies (10)
  • Autor: K.H. Tan
  • Autor: W.K. Loke
  • Autor: S. Wicaksono
  • Autor: S.F. Yoon
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Departamento: Electrónica Física, Ingeniería Eléctrica y Física Aplicada
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
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