Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Effect of different buffer layers on the quality of InGaN layers grown on Si
Año:2018
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
AIP ADVANCES
ISSN
2158-3226
Factor de impacto JCR
0
Información de impacto
Volumen
8
DOI
10.1063/1.5046756
Número de revista
10
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Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Grupo de Investigación: Grupo de dispositivos magnéticos del ISOM
  • Departamento: Electrónica Física
  • Departamento: Ingeniería Electrónica