Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Thermal and Electrical Stability Assessment of AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron Mobility Transistors (MOS-HEMTs) With HfO2 Gate Dielectric
Año:2018
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
ISSN
0018-9383
Factor de impacto JCR
2,605
Información de impacto
Volumen
65
DOI
10.1109/TED.2018.2842205
Número de revista
8
Desde la página
3142
Hasta la página
3148
Mes
Ranking
0
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Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica