Descripción
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Las células solares de silicio cristalino, que dominan el mercado fotovoltaico, están alcanzando su límite de máxima eficiencia teórica. Debido a esto, muchas líneas de investigación buscan alternativas que planteen nuevas vías de progreso. En este artículo se presenta una de estas alternativas basada en la integración de semiconductores III-V sobre sustratos de silicio de bajo coste a través de capas buffer del grupo IV, para obtener células multiunión. Estas capas buffer consisten en el crecimiento de germanio sobre el silicio, tras el que se desarrolla una capa gradual de SiGe. Posteriormente se crece una base de Si0.75Ge0.25 previa a los semiconductores III-V. A pesar de las buenas capas buffer obtenidas, el rendimiento de estas células es modesto, siendo ecesaria una mejora de la calidad cristalina de los semiconductores activos. | |
Internacional
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Si |
Nombre congreso
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XVI Congreso Ibérico y XII Congreso Iberoamericano de Energía Solar |
Tipo de participación
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960 |
Lugar del congreso
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Madrid |
Revisores
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Si |
ISBN o ISSN
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978-84-86913-14-4 |
DOI
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Fecha inicio congreso
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20/06/2018 |
Fecha fin congreso
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22/06/2018 |
Desde la página
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1075 |
Hasta la página
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1082 |
Título de las actas
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Actas del congreso |