Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Effects of Post-Deposition Vacuum Annealing on the Piezoelectric Properties of AlScN Thin Films Sputtered on 200 Mm Production Wafers
Año:2018
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Sc-doped AlN polycrystalline films are attractive active layers for high frequency (GHz range) acoustic resonators owing to the significant rise in the material piezoelectric activity with the increasing Sc content. AlScN films are sputtered on 200 mm Si wafers using configurable cathode containing a variable number of embedded Sc pellets which allows controlling both the Sc content in the films and the composition homogeneity across the wafer. The method is implemented in an Endeavor-AT? cluster tool from OEM Group adapted for sputtering on 200 mm wafers. The piezoelectric activity of the as-deposited AlScN films appears to improve after a 15-minute post-deposition annealing at 600ºC, leading to a 20% increase in the electromechanical coupling factor.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Proceedings of the 2018 IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS)
ISSN
1948-5727
Factor de impacto JCR
Información de impacto
Volumen
DOI
10.1109/ULTSYM.2018.8580177
Número de revista
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1
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Ranking
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Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microsistemas y Materiales Electrónicos
  • Centro o Instituto I+D+i: Centro de Materiales y Dispositivos Avanzados para Tecnologías de Información y Comunicaciones
  • Departamento: Ingeniería Electrónica