Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Reactive sputtering of AlScN thin Ulms with variable Sc content on 200 mm wafers
Año:2018
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Sc-doped AlN polycrystalline films are attractive active layers for high frequency (GHz range) acoustic resonators owing to the significant enlargement of the AlN piezoelectric activity with the increasing Sc content. To sputter homogenously doped AlScN films on 200 mm Si wafers we use a configurable cathode containing a variable number of embedded Sc pellets to fine tuning the Sc content in the films. The method was implemented in an Endeavor-AT? cluster tool from OEM Group, adapted for sputtering on 200 mm wafers. 1 ?m thick AlScN films with uniform Sc content (around 7 at.%), high crystal quality and good piezoelectric response have been sputtered over 200 mm production-level wafers.
Internacional
Si
Nombre congreso
2018 European Frequency and Time Forum (EFTF)
Tipo de participación
970
Lugar del congreso
Turin (Italia)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
978-1-5386-5620-4
DOI
10.1109/EFTF.2018.8408987
Fecha inicio congreso
10/04/2018
Fecha fin congreso
12/04/2018
Desde la página
13
Hasta la página
16
Título de las actas
Proceedings of the 2018 European Frequency and Time Forum (EFTF)
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microsistemas y Materiales Electrónicos
  • Centro o Instituto I+D+i: Centro de Materiales y Dispositivos Avanzados para Tecnologías de Información y Comunicaciones
  • Departamento: Ingeniería Electrónica