Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Hybrid III-V/SiGe solar cells on Si substrates and porous Si substrates
Año:2019
Áreas de investigación
  • Ingenierías
Datos
Descripción
A tandem GaAsP/SiGe solar cell has been developed employing group-IV reverse buffer layers grown on silicon substrates with a subsurface porous layer. Reverse buffer layers facilitate a reduction in the threading dislocation density with limited thicknesses, but ease the appearance of cracks, as observed in previous designs grown on regular Si substrates. In this new design, a porous silicon layer has been incorporated close to the substrate surface. The ductility of this layer helps repress the propagation of cracks, diminishing the problems of low shunt resistance and thus improving solar cell performance. The first results of this new architecture are presented here.
Internacional
Si
Nombre congreso
46th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Chicago, USA
Revisores
Si
ISBN o ISSN
01608371
DOI
10.1109/PVSC40753.2019.8981138
Fecha inicio congreso
16/06/2019
Fecha fin congreso
21/06/2019
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Título de las actas
Hybrid III-V/SiGe solar cells on Si substrates and porous Si substrates
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Pablo Caño Fernández (UPM)
  • Autor: Manuel Hinojosa Arner (UPM)
  • Autor: Luis Cifuentes Baro (UPM)
  • Autor: Huy Ngunyen (IQE Plc)
  • Autor: Aled Morgan (IQE Plc)
  • Autor: David Fuertes Marron (UPM)
  • Autor: Ivan Garcia Vara (UPM)
  • Autor: Andrew Johnson (IQE Plc)
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física
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