Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Effect of capping rate on InAs/GaAs quantum dot solar cells
Año:2019
Áreas de investigación
  • Ingenierías
Datos
Descripción
The unavoidable presence of the wetting layer (WL) in Stranski-Krastanov quantum dots (QD) has typically a negative impact on the performance of QD solar cells. In this work, a simple method to engineer the WL of InAs/GaAs QD solar cells is investigated
Internacional
Si
Nombre congreso
SPIE OPTO
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
San Francisco (EE.UU)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0277-786X
DOI
10.1117/12.2509484
Fecha inicio congreso
02/02/2019
Fecha fin congreso
07/02/2019
Desde la página
1091312
Hasta la página
1091319
Título de las actas
Proceedings of SPIE
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: L. Stanojevic
  • Autor: A. Gonzalo
  • Autor: A.D. Utrilla
  • Autor: D.F. Reyes
  • Autor: V. Braza
  • Autor: D. González
  • Autor: David Fuertes Marron (UPM)
  • Autor: A. Hierro
  • Autor: J.M. Ulloa
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Departamento: Electrónica Física
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
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