Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Combined assessment of Al1-xScxN thin films by RBS, XRD, FTIR and BAW frequency response measurements
Año:2019
Áreas de investigación
  • Dispositivos sensores,
  • Otros dispositivos electrónicos,
  • Materiales para ingeniería eléctrica y electrónica,
  • Tecnología de dispositivos para ingeniería eléctrica y electrónica
Datos
Descripción
Al0.7Sc0.3N films were reactively sputtered from Al-Sc segmented targets by ac powered dual-cathode S-gun magnetron. Films with homogeneous Sc concentration within 30 +/- 0.5 at. % were grown at ambient temperature directly on 200-mm (100) silicon wafers and on 100-mm silicon substrates covered with SiO2/Mo-based acoustic reflectors terminated by highly (110) textured Mo electrodes. The piezoelectric assessment derived from the frequency response of bulk acoustic resonators yields values of the electromechanical coupling factor k(2) up to 12.8%. Infrared absorption and X-ray diffraction measurements reveal that tiny structural changes may lead to deviation in the value of k(2) across the wafer, which can be reduced by performing a post-processing heat treatment at around 600 degrees C.
Internacional
Si
Nombre congreso
2019 IEEE INTERNATIONAL ULTRASONICS SYMPOSIUM (IUS)
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Glasgow, UK
Revisores
Si
ISBN o ISSN
1948-5719
DOI
Fecha inicio congreso
06/10/2019
Fecha fin congreso
09/10/2019
Desde la página
720
Hasta la página
723
Título de las actas
Proceedings of the 2019 IEEE INTERNATIONAL ULTRASONICS SYMPOSIUM (IUS)
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microsistemas y Materiales Electrónicos
  • Departamento: Ingeniería Electrónica