Memorias de investigación
Responsabilidad:
Participación en tribunal de tesis internacional
Año:2019
Áreas de investigación
  • Otros dispositivos electrónicos,
  • Materiales para ingeniería eléctrica y electrónica,
  • Dieléctricos,
  • Materiales para mems/nems (microelectromechanical systems /nanoelectromechanical systems),
  • Circuitos y dispositivos de capa fina,
  • Circuitos y dispositivos de capa gruesa,
  • Técnicas de depósito,
  • Modelado de procesos,
  • Tecnologías a escala nano
Datos
Descripción
Croissance de films minces piézoélectriques de ScxAl1-xN par pulvérisation cathodique pour la réalisation de dispositifs à ondes élastiques confinées, destinés à des applications haute-température
Internacional
Si
Fecha
05/04/2019
Lugar
Nancy, Francia
Tipo
Responsabilidades en cómites internacionales
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microsistemas y Materiales Electrónicos
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Centro de Materiales y Dispositivos Avanzados para Tecnologías de Información y Comunicaciones