Descripción
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Estancia de la Doctorando Doña Raquel Gargallo Caballero, en la University of Sheffield, Department of Electronic and Electrical Engineering, III/V Facility of the EPSRC National Center for III-V Technologies, Sheffield (Reino Unido), para Crecimiento mediante Epitaxia por Haces Moleculares (MBE) de nanoestructuras de punto cuántico para su aplicación en detectores de infrarrojo, duración de la estancia 3 meses del 29/05/2007 al 31/08/2007. | |
Internacional
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Si |
Lugar
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University of Shefield, UK |
Tipo
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Miembros en el extranjero |
Fecha inicio
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29/05/2007 |
Fecha fin
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31/08/2007 |