Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Estancias o Sabáticos:
Estancia de la Doctorando Doña Raquel Gargallo Caballero, en la University of Sheffield, Department of Electronic and Electrical Engineering, III/V Facility of the EPSRC National Center for III-V Technologies, Sheffield (Reino Unido), para Crecimiento mediante Epitaxia por Haces Moleculares (MBE) de nanoestructuras de punto cuántico para su aplicación en detectores de infrarrojo, duración de la estancia 3 meses del 29/05/2007 al 31/08/2007.
Año:2007
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Estancia de la Doctorando Doña Raquel Gargallo Caballero, en la University of Sheffield, Department of Electronic and Electrical Engineering, III/V Facility of the EPSRC National Center for III-V Technologies, Sheffield (Reino Unido), para Crecimiento mediante Epitaxia por Haces Moleculares (MBE) de nanoestructuras de punto cuántico para su aplicación en detectores de infrarrojo, duración de la estancia 3 meses del 29/05/2007 al 31/08/2007.
Internacional
Si
Lugar
University of Shefield, UK
Tipo
Miembros en el extranjero
Fecha inicio
29/05/2007
Fecha fin
31/08/2007
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Raquel Gargallo Caballero (UPM)
  • Tutor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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