Memorias de investigación
Artículos en revistas:
J. GRANDAL, M.A. SANCHEZ-GARCIA , E. CALLEJA , E. LUNA , A. TRAMPERT "Accommodation mechanism of InN nanocolumns grown on Si (111) substrates by molecular beam epitaxy" Applied Physics Letters, 91, 021902-021904 (2007) ISSN: 0003-6951
Año:2007
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con línea de actividad de Nanoestructuras de nitruros
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPL PHYS LETT
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,596
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0
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Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica