Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
J. M. ULLOA, C. ÇELEBI, P. M. KOENRAAD, A. SIMON, E. GAPIHAN, A. LETOUBLON, N. BERTRU, I. DROUZAS, D.J. MOWBRAY, M.J. STEER, M. HOPKINSON "Atomic scale study of the impact of the strain and composition of the capping layer on the formation of InAs quantum dots"Journal of Applied Physics, 101, 081707-081712 (2007) ISSN: 0021-8979
Año:2007
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con línea de investigación de Crecimiento expitaxial de nitruos del grupo III para aplicaciones en biosensores y detectores de IR y línea de investigación de Nanoestructuras de Nitruros
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
J APPL PHYS
ISSN
0021-8979
Factor de impacto JCR
2,171
Información de impacto
Volumen
101
DOI
Número de revista
0
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Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: C. ÇELEBI, P
  • Autor: A. LETOUBLON
  • Autor: D.J. MOWBRAY
  • Autor: I. DROUZAS
  • Autor: M.J. STEER
  • Autor: E. GAPIHAN
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
  • Autor: M. HOPKINSON
  • Autor: P. M. KOENRAAD
  • Autor: N. BERTRU
  • Autor: A. SIMON
  • Autor: J.M ULLOA
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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