Memorias de investigación
Artículos en revistas:
J. M. ULLOA, I. W. D. DROUZAS, P. M. KOENRAAD, D.J. MOWBRAY, M.J. STEER, H. Y. LIU, M. HOPKINSON "Suppression of InAs/GaAs quantum dot decomposition by the incorporation of a GaAsSb capping layer" Applied Physics Letters 90, 213105-213108 (2007) ISSN: 0003-6951
Año:2007

Áreas de investigación
  • Industria electrónica

Datos
Descripción
Relacionado con la línea de investigación de Crecimiento Epitaxial de nitruros del Grupo III para aplicaciones en biosensores y detectores de IR y con la línea de investigación de Nanoestructuras de Nitruros
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPL PHYS LETT
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,596
Información de impacto
Volumen
90
DOI
Número de revista
0
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Ranking

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: M. HOPKINSON
  • Autor: H. Y. LIU
  • Autor: J.M. ULLOA
  • Autor: I. W. D. DROUZAS
  • Autor: Enrique Calleja Pardo UPM
  • Autor: D.J. MOWBRAY,
  • Autor: M.J. STEER
  • Autor: P. M. KOENRAAD

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica