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Descripción
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| Esta invención propone usar una pantalla termodinámica situada bajo los dispositivos electrónicos para bloquear las corrientes transversales entre ellos y las capas subyacentes, responsables de su exceso de ruido. Para capas epitaxiales como las usadas en Microelectrónica, la capa-barrera (2) de dopaje opuesto al de la epicapa (4) donde están los dispositivos, y la capa separadora no-dopada (3), forman la pantalla termodinámica que, intercalada entre la epicapa (4) y el sustrato (1), reduce esas corrientes transversales y por tanto el exceso de ruido de los dispositivos de la epicapa (4) cuando son polarizados. La conexión del contacto óhmico (7) de la capa pantalla (2) con el surtidor (6) de los transistores FET de la epicapa (4) (conexión de trazos) o con su puerta (5), elimina el ruido térmico del condensador que existía bajo esos FETs y por tanto el correspondiente exceso de ruido en esos dispositivos. | |
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Internacional
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Si |
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Estado
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Concedida |
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Referencia Patente Prioritaria
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P200502744 |
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En explotación
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No |
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Fecha solicitud
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10/11/2005 |
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Titulares aparte de la UPM
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