Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Patents:
Método para la supresión de la recombinación no radiativa en materiales dopados con centros profundos
Year:2008
Research Areas
  • Electronic circuits,
  • Electronic devices,
  • Magnetic materials
Information
Abstract
Procedimiento para obtener materiales semiconductores con niveles situados cerca del centro de la banda prohibida (niveles profundos) que no sufren la recombinación no radiativa por emisión de múltiples fonones (MPE) asociada a dichos niveles. Consiste en incrementar el dopaje del semiconductor con aquellas impurezas que producen los centros profundos hasta alcanzar el punto en que se causa una transición de Mott entre las funciones de onda de los electrones atrapados en los centros, de tal forma que éstas quedan distribuidas a lo largo de todo el semiconductor. Cuando esto ocurre, desaparecen las variaciones locales de densidad de carga eléctrica y con ellas la recombinación por MPE. A partir de los materiales resultantes (semiconductores con tres bandas energéticas separadas (1),(2) y (3)) se pueden fabricar dispositivos optoelectrónicos (células solares, fotodetectores, láseres, etc) capaces de utilizar de forma eficiente (y si el caso lo requiere, simultánea) transiciones electrónicas radiativas en rangos energéticos no convencionales.
International
Si
Status
Concedida
application number
P200503055
under exploitation
No
Date
13/12/2005
30/11/2007
Owner
Participants
  • Autor: Antonio Marti Vega (UPM)
  • Autor: Cesar Tablero Crespo (UPM)
  • Autor: Antonio Luque Lopez (UPM)
  • Autor: Elisa Antolin Fernandez (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Departamento: Electrónica Física
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