Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
R. Cuerdo, F. Calle, A. F. Braña, Y. Cordier, M. Azize, N. Baron, S. Chenot, E. Muñoz "High temperature behaviour of AlGaN/GaN HEMTs on Si(111) and sapphire substrates" 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS07) Las Vegas (USA) 16 al 21 de septiembre de 2007
Año:2007
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con línea de investigación de Dispositvos de ondas acústicas superficiales (SAW)y Transistores HEMT
Internacional
Si
Nombre congreso
7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS07) Las Vegas (USA) 16 al 21 de septiembre de 2007
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Las Vegas (USA)
Revisores
No
ISBN o ISSN
DOI
Fecha inicio congreso
16/09/2007
Fecha fin congreso
21/09/2007
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Título de las actas
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: M. Azize
  • Autor: S. Chenot
  • Autor: Roberto Cuerdo Bragado (UPM)
  • Autor: Alejandro Francisco Braña De Cal (UPM)
  • Autor: Y. Cordier
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
  • Autor: N. Baron
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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