Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
I. W. D. Drouzas, J. M. Ulloa, P. M. Koenraad, D. J. Mowbray, M. A. Migliorato, M. J. Steer, H.Y. Liu, M. Hopkinson "InAs self-assembled quantum dots capped with a GaAsSb strain reducing layer: Morphology of a nanostructure with novel optical properties" UK Compound semiconductors 2007 Sheffield (UK) 4 al 5 de Julio de 2007
Año:2007
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
Relacionado con lína de investigación de Nanoestructuras de nitruros
Internacional
Si
Nombre congreso
UK Compound semiconductors 2007 Sheffield (UK) 4 al 5 de Julio de 2007
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Sheffield (UK)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
DOI
Fecha inicio congreso
04/07/2007
Fecha fin congreso
05/07/2007
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Título de las actas
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: D. J. Mowbray
  • Autor: I. W. D. Drouzas,
  • Autor: M. Hopkinson
  • Autor: M. J. Steer
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
  • Autor: H.Y Liu
  • Autor: M. A. Migliorato
  • Autor: P. M. Koenraad,
  • Autor: J. M. Ulloa
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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