Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Band bending at In-rich InGaN surfaces
Year:2008
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
Relacionado con las lineas de investigacion del Grupo
International
Si
JCR
Si
Title
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISBN
0021-8979
Impact factor JCR
2,171
Impact info
Volume
104
Journal number
0
From page
113716
To page
113716-6
Month
ENERO
Ranking
Participants
  • Participante: C.F MACCONVILLE
  • Participante: P.D.C KING
  • Autor: Juan Pereiro Viterbo (UPM)
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Participante: T.D VEAL
  • Autor: Javier Grandal Quintana (UPM)
  • Participante: L.R BAILEY
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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