Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
High temperature behavior of GaN HEMT devices on Si(111) and sapphire substrates
Año:2008
Áreas de investigación
  • Industria electrónica
Datos
Descripción
RELACIONADO CON LINEAS DE INVESTIGACION DEL GRUPO
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS
ISSN
0370-1972
Factor de impacto JCR
1,071
Información de impacto
Volumen
5
DOI
Número de revista
0
Desde la página
1971
Hasta la página
1973
Mes
ENERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Participante: A.F. BRAÑA
  • Participante: Y. CORDIER
  • Participante: N. BARON
  • Autor: Roberto Cuerdo Bragado (UPM)
  • Participante: M. AZIZE
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Participante: S. CHENOT
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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