Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
High temperature behavior of GaN HEMT devices on Si(111) and sapphire substrates
Year:2008
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
RELACIONADO CON LINEAS DE INVESTIGACION DEL GRUPO
International
Si
JCR
Si
Title
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS
ISBN
0370-1972
Impact factor JCR
1,071
Impact info
Volume
5
Journal number
0
From page
1971
To page
1973
Month
ENERO
Ranking
Participants
  • Participante: A.F. BRAÑA
  • Participante: Y. CORDIER
  • Participante: N. BARON
  • Autor: Roberto Cuerdo Bragado (UPM)
  • Participante: M. AZIZE
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Participante: S. CHENOT
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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