Artículos en revistas:
High temperature behavior of GaN HEMT devices on Si(111) and sapphire substrates
Año:2008
Áreas de investigación
- Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| RELACIONADO CON LINEAS DE INVESTIGACION DEL GRUPO | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS |
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ISSN
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0370-1972 |
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Factor de impacto JCR
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1,071 |
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Información de impacto
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Volumen
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5 |
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DOI
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Número de revista
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0 |
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Desde la página
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1971 |
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Hasta la página
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1973 |
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Mes
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ENERO |
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Ranking
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Ver publicación en Archivo digital upm
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Participante: A.F. BRAÑA
- Participante: Y. CORDIER
- Participante: N. BARON
- Autor: Roberto Cuerdo Bragado UPM
- Participante: M. AZIZE
- Autor: Elias Muñoz Merino UPM
- Participante: S. CHENOT
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica